可控硅 晶闸管

高频晶闸管特性参数及应用

 随着中频炉感应加热技术在工业应用中的普及,越来越多的场合需用到4-10KHz,功率100-1000KW的感应加热设备对金属工件进行淬火、透热处理。台基半导体在三十余年快速晶闸管制造经验的基础上,从九十年代初开始进行高频晶闸管的研制。近年来,通过引入一种新的设计模型,改进材料及工艺设计,采用新的分布式放大门极结构,明显改善了器件的高频电流性能。所生产的KA系列高频晶闸管已批量应用于汽车、轴承、铁路系统等各个行业。

一.  主要品种技术指标:

型号

 

 

VDRM / VRRM

ITAV

ITf/f

tq

dv/dt

di/dt

115°C

THS55°C

115°C

V

A

A/KHz

µs

V/µs

A/µs

Y30KAC

800-1200

200

200/10

6-10

500

200

Y30KAD

1200-1600

200

200/6

10-16

500

200

Y35KAD

1200-1600

300

300/6

10-16

500

200

Y35KAC

800-1200

400

300/10

6-10

500

200

Y40KAD

1200-1600

500

500/6

10-16

500

200

Y40KAC

800-1200

600

400/10

6-10

500

250

Y45KAD

1000-1400

600

600/6

12-18

500

250

Y45KAC

800-1200

800

500/10

8-15

500

250

Y50KAD

1000-1400

800

800/8

12-18

500

250

Y50KAC

800-1200

1000

600/8

8-15

500

250

Y55KAD

1000-1400

1000

1000/6

12-18

500

250

Y55KAC

800-1200

1200

800/8

8-15

500

250


二.  性能特点

1.高速开通性能。采用新的分布式防大门极结构,器件的开通时间可缩短至2µs以内。

2.极高的开通电流上升率承受能力。通过改进设计和工艺,高频器件晶闸管的不重复电流上升率di/dt可达1500A/µs以上。(见图1)

3.快速软恢复特性。优良的软恢复特性,减小了器件的关断过电压。

4.较低的通态压降。减小了器件的通态热损耗。

5.低开通和恢复损耗。由于有极短的开通和恢复时间,与常规快速晶闸关比,开通和恢复损耗显著下降。

6.关短时间范围8-12µs,适于4-10KHz的串并联逆变线路。


点击次数:  更新时间:2016-06-22 09:00:37  【打印此页】  【关闭

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