可控硅 晶闸管

可控硅损坏原因及原因分析

可控硅损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。

1、电压击穿。可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。

4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

    以上4种原因都是可控硅的常见损坏原因,遇到可控硅损坏事件,应冷静分析。

1、过热击穿:

      过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿,发生这种热击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置的工作不良而引起的可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的,主要检查进水温度是否过高(一般要求水温应在25℃以下,但最高不能超过35℃),流量是否充足;对于采用风冷方式工作的,应检查风扇的转数是否正常,还有环境温度也不能太高等等,但无论是风冷的还是水冷的,如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话,安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触,接触面要平整,不能有划痕或凹凸,且不能有灰尘夹入,还要保证有足够且均匀的压力,特别是对水冷的可控硅,三个螺栓的拉力一定要均匀,并且还要经常检查和清理水垢,水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果,如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话,就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。

2、过压击穿: 

      过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的很短时间内过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的情况存在。

3、过流与过热击穿:

      其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下,只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的,因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的,而温度升高的过程是需要一定时间的,所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。

4、边缘损坏

     可控硅芯片边缘损坏一般用户不会涉及到,主要生产封装之前造成的。


点击次数:  更新时间:2016-07-03 20:54:40  【打印此页】  【关闭

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